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РусскийDetector de pulso APD InGaAs para OTDR,Componentes RF/GSM,Componentes de detección y medición
Con una pérdida de retorno de 30 dB, nuestro detector es invulnerable a la no transmisión de la señal. Así, se puede garantizar la fiabilidad de la información.
Valores máximos absolutos| Mín. | Típ. | Máx. | Unidad | ||
| Corriente directa | IF | 10 | mA | ||
| Corriente reversa | IR | 0.5 | mA | ||
| Temperatura de funcionamiento. | TC | -40 | 85 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -40 | 85 | ℃ | |
| Temperatura principal de soldadura | TSOL | - | 260(10s) | ℃ | |
| Humedad relativa | RH | -40 | 85 | % |
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típica. | Máx. | Undadt | Notas |
| Voltaje inverso de ruptura, | VBR | 50 | 70 | 100 | V | ID = 100 μA |
| Coeficiente de temperatura y voltaje inverso de ruptura Voltage1 | δ | 0.2 | %/℃ | |||
| Corriente obscura | ID | 5 | 25 | nA | VR = VBR x 0.9 | |
| Corriente obscura del monitormultiplñicada | IDM | 1 | 5 | nA | M = 2 to 10 | |
| Capacitancia terminal | Ct | 0.35 | 0.60 | pF | VR = VBR x 0.9, f = 1 MHz | |
| Frecuencia de corte | fC | 2.5 | GHz | M = 10 | ||
| Eficiencia cuántica | η | 76 | 90 | % | λ = 1310 nm, M = 1 | |
| 65 | 77 | λ = 1550 nm, M = 1 | ||||
| Capacidad de respuesta | S | 0.80 | 0.94 | A/W | λ = 1310 nm, M = 1 | |
| 0.81 | 0.96 | λ = 1550 nm, M = 1 | ||||
| Factor de multiplicación | M | 30 | 40 | M | λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μA, VR = V (at ID = 1 μA) | |
| Factor de exceso de ruido | X | 0.7 | - | λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μA, M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz | ||
| F | 5 | λ = 1550 nm, IPO = 1.0 μA, M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz | ||||
| Perdida de retorno óptica | ORL | 30 | dB | SMF |
Asignación del Pin
Ilustración
| M | PD | -3 | X | -X | X | X |
| Modo | Producto | Tasa | Conector | Color del cable | Longitud del cable | Factor de multiplicación |
| 3:3Gb/s | 1:FC/APC 2:FC/PC 3:SC/APC 4:SC/PC 5:LC/PC 6:LC/APC W:Without (sin conector) | H:Amarillo B:Natural R:Blanco D: Colores | 5:0.5M 1:1M | 2:20 3:30 4:40 |
Como fabricante experimentado del detector de pulso APD InGaAs para OTDR con base en China, Shengshi ofrece el Diodo láser mariposa 1310nm DFB, diodo láser pulsado 1490nm para OTDR, diodo detector PIN InGaAs de gran área, y más.
