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РусскийDiodo láser mariposa 1310nm DFB,Componentes RF/GSM,Componentes de detección y medición
El diodo láser mariposa 1310nm DFB adopta una alta linealidad, y un chip de alta energía DFB con estructura MQW. A través de la rejilla de DFB, como zona de guía de ondas, nuestro producto utiliza la resonancia causada por el reflejo de energía fotónica. Algunos de los fotones pueden excitar más fotones, mientras que otros pueden ser emitidos fuera para ser láser con excelente dirección y alta pureza.
La longitud de onda central del diodo láser mariposa DFB, puede ser opcionalmente de 1300nm a 1320nm, y la anchura espectral de 0,1 nm a 1 nm. Se puede producir con láser estable en el umbral actual de 9 mA a 15 mA. Gracias a la incorporación de un aislador, nuestro producto ofrece una alta capacidad anti-interferencia con aislamiento óptico y un ratio de 30dB en modo de supresión, lo que significa que puede proteger el circuito sensible.
El componente del diodo láser mariposa DFB, adopta un paquete de enfriamiento con armazón 14- pin tipo mariposa, que tiene ciertas ventajas, tales como excelente disipación del calor , interferencia electromagnética y perfecta hermeticidad. Además, posee el conector FC o APC de modo sencillo, para lograr una mayor pérdida de reflexión y baja pérdida de inserción. Nuestro producto es especialmente adecuado para CATV hacia el camino que requiere la pérdida de retorno elevada, que puede reducir el impacto de la reflexión de luz
CATV de trayectoria directa, requiere elevada pérdida de retorno, reduciendo el impacto de la reflexión de luz a la fuente de luz y todo el sistema. Nuestro diodo láser mariposa también se puede aplicar en la emisión 1310 o 1550 y aplicaciones punto a punto.
Valores máximos absolutos| Parámetro | Símbolo | Condición | Mín. | Máx. | Unidad |
| Temperatura de funcionamiento | T c | I=Iop | -20 | 100 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | T stg | - | -40 | 85 | ℃ |
| Corriente del láser | I f | - | - | 120 | mA |
| Polarización inversa | V r | - | - | 2 | V |
| Polarización inversa del fotodiodo | V rpd | - | - | 10 | V |
| TEC Actual | I tec | -20℃ < Tc <+65℃, Top=25℃ If=100 mA | - | 1.5 | A |
| Temperatura principal de soldadura | - | - | - | 260 | ℃ |
| Tiempo principal de soldadura | - | - | - | 10 | S |
| radio de curvatura de la fibra | - | - | 30 | - | mm |
| Rendimiento de resistencia de la fibra | - | - | - | 1 | kgf |
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Mín. | Típ. | Máx. | Unidad |
| Centro de longitud de onda | λ c | CW | 1300 | 1310 | 1320 | nm |
| Ancho de espectro (-20 dB) | Δλ | CW | - | 0.1 | 1.0 | nm |
| Energía óptica de salida* | P o | CW, T L =25℃ | 2 | - | 28 | mW |
| Aislamiento óptico | I S | T=25℃ | 30 | - | - | dB |
| Tasa de supresión en modo lateral | SMSR | CW | 30 | - | - | dB |
| Umbral de corriente | I th | T L =25℃ | - | 9 | 15 | mA |
| Corriente de funcionamiento | I op | CW | - | - | 120 | mA |
| Voltaje directo | V F | CW | - | 1.2 | 2.0 | V |
| Corriente del monitor | I mon | V rpd =5 V | 100 | - | 1500 | μ A |
| Corriente obscura del monitor | I D | V rpd =5 V | - | - | 100 | nA |
| Temperatura de funcionamiento | T | - | -20 | - | 60 | ℃ |
| Seguimiento de error | γ | TE=10log(Po(Tc )/Po(25℃) | -0.5 | - | 0.5 | dB |
| Resistencia del termisor | R t | T=25℃ | 9.5 | - | 10.5 | K Ω |
| TEC presente | I C | ΔΤ =40℃ | - | - | 1.0 | A |
| Voltaje de TEC | V C | ΔΤ =40℃ | - | - | 2.0 | V |
| Tasa de transporte de ruido | CNR | 84 CH, PAL | 51 | - | - | dB |
| Combinación de Segundo orden | CSO | 84 CH, PAL | - | -60 | -57 | dBc |
| Combinación de triple golpe | CTB | 84 CH, PAL | - | -67 | -65 | dBc |
| Rango de frecuencia | F | - | 45 | - | 870 | MHz |
| Pin | Descripción | Pin | Descripción |
| 1 | Termisor | 8 | Campo |
| 2 | Termisor | 9 | Campo |
| 3 | Sesgo LD(N) | 10 | Campo |
| 4 | Detector(P) | 11 | LD(P), campo |
| 5 | Detector(N) | 12 | LD(N),RF modulación |
| 6 | TEC(+) | 13 | LD(P), campo |
| 7 | TEC(-) | 14 | Campo |
Definición del PIN
Esquema del paquete
| S | BF | -X | 31 | X | X | -X | X | X |
| Modo | Producto | Tipo | Longitud de onda | Aislador | Tasa | Conector | Longitud del cable | Rango de energía |
| F:FP D:DFB C:CWDM | 31:1310nm | S:Sencillo B:Dual W:with (sin aislador) | 3:1.25Gb/s 2:2.5Gb/s 4:4.25Gb/s 6:6Gb/s 1:10Gb/s | 1:FC/APC 2:FC/PC 3:SC/APC 4:SC/PC 5:LC/PC W:with (sin) | 5:0.5M 1:1M | 1:2~4mw 2:5~7mw 3:8~10mw 4:11~13mw 5:14~16mw 6:17~19mw 7:20~22mw 8:23~25mw 9:26~28mw |
Como fabricante profesional del diodo láser mariposa 1310nm DFB en China, también ofrecemos el diodo láser de cable coaxial 1270nm, detector de pulso APD InGaAs para OTDR, diodo detector PIN InGaAs de gran área, componentes LED 1310nm, y mucho más.
