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РусскийDetector PIN-TIA InGaAs 850nm,Componentes RF/GSM,Componentes de detección y medición
El detector PIN-TIA InGaAs 850nm, es aplicable para la comunicación de fibra óptica y sensores de fibra óptica, así como también otros instrumentos y equipos relacionados. Puede convertir una pequeña señal óptica con longitud de onda de 750nm a 900nm, en señal eléctrica, amplificando al mismo tiempo la baja propagación. El detector trabaja adecuadamente a temperaturas de -40℃ a 80℃. Nuestro detector, tiene un voltaje de operación de 3V a 5.5V, corriente de 23mA a 35mA y energía de saturación de -3dBm.
El detector PIN-TIA, utiliza el 850nm GaAs pin y adopta el paquete de 4-pin. Construido con un amplificador de trans-impedancia AGC, que cuenta con resistencia de salida alta y el control libre de la ganancia de corriente. El detector también tiene una reacción rápida y alta precisión; es decir, se puede obtener la respuesta dentro de 4.2ns y lograr una sensibilidad de alrededor de -36dB a- 34dB. Como un componente del sistema de telecomunicaciones, el detector puede proporcionar una velocidad de transmisión de 155Mbps, 622Mbps o 125Gbps para que los usuarios puedan elegir la más conveniente.
Valores máximos absolutos| Parámetro | Símbolo | Mín. | Máx. | Unidad |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | 85 | ℃ |
| Temperatura de funcionamiento | To | -40 | 85 | ℃ |
| Humedad relativa de almacenamiento | RHS | - | 95 | % |
| Temperatura principal de soldadura | TSLD | - | 260 | ℃ |
| Duración de la soldadura | tSLD | - | 10 | S |
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Típica | Máx. | Unidad | Condición de prueba |
| Voltaje de suministro | Vcc | 3.0 | - | 5.5 | V | - |
| Corriente de suministro | Icc | - | 23 | 35 | mA | No load |
| Longitud de onda | λ | 750 | - | 900 | nm | VR=5V,λ=1310 nm |
| Energía de saturación | Ps | -3 | - | - | dBm | 850nm 155M |
| Banda ancha | BW | 115 | 125 | - | MHz | -3dB |
| Sensibilidad | S | - | -36 | -34 | l=850nm, 155Mbps, 62.5um BER=10-10@ PRBS= 223-1 | |
| Tiempo ascenso/descenso | tr/tf | - | - | 4.2 | ns | λ=850 nm ( 20 - 80% ) |
Definición del PIN
Ilustración
| S | CB | -P | X | X | -1 | X |
| Modo | Producto | Tipo | Longitud de onda | Pin | Tasa | Conector |
| P:PIN+TIA | 1:750~900 2:1100~1650 | A:4 PIN A Type B:4 PIN B Type C:5 PIN C Type D:5 PIN D Type | 1:155 Mb/s 2:622 Mb/s 3:1.25 Gb/s | 1:FC 2:SC 4:ST |
Como fabricante y proveedor con base en China del detector PIN-TIA InGaAs 850nm, Shengshi ofrece además el módulo de diodo láser de cable coaxial 1270nm-1610nm CWDM, módulo láser pulsado 1310nm para OTDR, diodos de cable coaxial 1310nm-1550nm FP y diodo detector PIN InGaAs de gran área, entre otros.
